Форм-фактор M.2 2230
Інтерфейс PCI Express 4.0 x4
Об'єм накопичувача 512 ГБ
Швидкість запису 4600 МБ/сек
Швидкість зчитування 5100 МБ/сек
Тип пам'яті 3D NAND
Споживання енергії немає даних
Час напрацювання на відмову 1.5 млн годин
Фізичні характеристики
Габарити 30 х 22 х 2.2 мм
Додатково
IOPS (читання/запис) 780 000/920 000
Контролер Phison E21T
TBW (ресурс записів) 300 TБ
Додаткові дані Підтримка TRIM, S.M.A.R.T
Серія
Серія Goodram IRDM Pro Nano
Особливості
Наявність підсвічування є
Ударостійкість є
Підтримка NVMe є
Призначення
Для ноутбуків так
Для комп'ютерів так