Тип внутренний
Емкость 1000 ГБ
Форм фактор M.2
Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4 /NVMe 1.3
Контроллер Samsung Phoenix
Тип NAND памяти V-nand /3-bit MLC
Внешняя скорость записи 3300 Мб/сек *Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи
Внешняя скорость считывания 3500 Мб/сек /*Продуктивність може відрізнятися залежно від апаратного забезпечення та конфігурації системи
Ударостойкость при работе 1500G/0.5мс
Наработка на отказ 1.5 млн. ч
Дополнительно
Рабочая температура 0°C до 70°C
Скорость чтения до 19000 IOPS Випадкове зчитування (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи
Скорость записи до 60000 IOPS ипадковий запис (4KB, QD 1) * Це значення може залежати від апаратної конфігурації системи
Рабочее напряжение 3.3 В температура
Особенности
Поддержка Trim
Аппаратное шифрование 256-розрядне
Поддержка SMART
Поддержка режима сна
GC (сборка мусора)