Тип внутренний
Емкость 512 ГБ
Форм фактор M.2
Интерфейс PCIe Gen 3.0 x4
Тип NAND памяти 3D NAND
Внешняя скорость записи 1200 Мб/сек Продуктивність залежить від ємності твердотільного накопичувача, програмних і апаратних засобів хост-системи, операційної системи і інших системних змінних
Внешняя скорость считывания 1800 Мб/сек /Продуктивність залежить від ємності твердотільного накопичувача, програмних і апаратних засобів хост-системи, операційної системи і інших системних змінних
Ударостойкость при работе 1500G/0.5мс
Наработка на отказ 1.8 млн. ч
Дополнительно
Температура хранения -40°C до 85°C
Рабочая температура 0°C до 70°C
Особенности оснащен радиатором
Физические
Вес накопителя 8 г